HBM4E에서의 Hybrid Bonding 도입 가능성에 ..

HBM4E 표준에서 스택 높이를 약 775 µm에서 약 900 µm 수준으로 완화하는 방안이 검토되고 있다. 규격 반영 시 다이 간 간격 확보가 늘어나 기존 TC 본딩의 적용 범위가 연장될 수 있지만, 여전히 hybrid bonding의 채택 가능성이 높다는 의견이 제시된다. hybrid bonding은 micro-bump 기반 TC 본딩 대비 신호 전달 거리 축소, 접촉 저항 감소, 더 높은 연결 밀도 확보 등의 이점을 제공한다. 다층 DRAM 적층 구조에서의 정렬 정밀도와 표면 상태 관리가 수율의 주요 이슈로 남아 있지만 BESI 등 장비 기술의 발전으로 수율 우려는 점차 완화되고 있다. 최종적으로 HBM4E 세대에서 고성능 제품을 중심으로 hybrid bonding의 채택이 실제로 증가할 가능성이 충분하다고 평가된다.

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• - HBM4E에서 스택 높이 규격의 완화 가능성이 기존 TC 본딩의 적용 여지를 넓히는 요인이 된다
• - hybrid bonding은 신호 경로 단축, 전력 손실 감소, 연결 밀도 증가 등 구조적 장점을 제공한다
• - 수율 우려는 여전히 존재하지만 BESI의 정렬 기술 및 공정 안정성 개선으로 완화되고 있다
• - 고성능 HBM 제품을 중심으로 hybrid bonding 채택 가능성이 높아질 것으로 보인다