트레이딩 바이 - CY26 HBM 둔화 But Legacy D..

이 보고서는 CY25~CY26 사이 DRAM, HBM, NAND의 수요-공급 흐름과 AI 생태계 변화가 메모리 반도체 업황에 미치는 영향을 종합적으로 분석한다. CY25 DRAM 수요 증가율은 19.3%로 상향되며 생산 증가율 18.1%를 상회하고, CY26은 수요 증가율이 14.1%로 둔화될 것으로 전망되나 현재 CY26 생산 증가율(14.2%)과의 차이가 작다. CY25 HBM 실수요량은 24.6억 GB이고 생산 계획치는 29.3억 GB로 수요를 상회하며 CY26 생산 가능량은 44억 GB 이상으로 추정되어 실수요 41.3억 GB를 상회할 전망이고 HBM ASP는 CY25 대비 30%대 중후반 하락, HBM4의 가격 프리미엄은 60% 수준으로 추정된다. CY26 NAND 수요 증가율은 13.8%로 예상되며 생산 증가율은 14.0%로 수요 증가율과 생산 증가율이 유사해 업황은 양호하다고 판단된다. AI 버블 우려는 당장 크지 않으며 3Q25 저점 매수, 4Q25 고점 매도 전략이 제시되며 HBM4 진입으로 삼성전자의 P/B 상승 가능성과 FY26 목표주가가 제시된다.

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• - CY25 DRAM 수요 증가율 19.3% 상향, CY26은 14.1%로 둔화 전망하나 생산 증가율 14.2%로 수요 증가율과 근접할 가능성.
• - HBM: CY25 실수요 24.6억 GB, 생산 29.3억 GB로 수요를 상회; CY26 생산 가능량 44억 GB 이상, 실수요 41.3억 GB를 상회. HBM ASP는 CY25 대비 30%대 중후반 하락, HBM4 프리미엄은 약 60% 수준.
• - CY26 NAND 수요 증가율 13.8%, 생산 증가율 14.0%로 수요와 공급의 균형 유지 전망.
• - AI 사이클 및 밸류에이션 흐름: 3Q25 저점 매수/4Q25 고점 매도 전략, HBM4 진입 시 삼성전자 P/B 상승 가능성과 FY26 목표주가 제시(10.6만 원, 경기 회복 시 14만 원 제시).